19 апреля 2001 г.

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) сообщила о намерениях начать производство чипов с уровнем детализации 0,10 мкм в третьем квартале 2002 г.

    По заявлению представителей TSMC, компания уже завершила работы над основными элементами новой технологии. Разработаны технические требования для чипов с 0,10-микронной детализацией, созданы модели транзисторов и определены параметры межкомпонентных соединений. TSMC намерена сотрудничать с другими производителями в области унификации технологий, что позволит создать производственную базу для выпуска широкого диапазона интегрированных полупроводниковых компонентов нового поколения.

    Кроме того, TSMC объявила о завершении эксплуатационных испытаний линии по производству микросхем с детализацией 0,13 мкм из 300-миллиметровых кремниевых пластин. В ходе испытаний была выпущена пробная партия чипов памяти SRAM емкостью 4 Мб с медной металлизацией, и, по словам специалистов компании, процент выхода кондиционной продукции оказался достаточно высок. До конца месяца TSMC планирует выпустить еще несколько пробных партий продуктов по 0,13-микронной технологии.