28 марта 2001 г.

Выпущено энергонезависимое ферроэлектрическое запоминающее устройство (FRAM) на 256 кб с практически неограниченным количеством циклов записи/чтения.

   
Энергонезависимый чип памяти Ramtron FM18L08 (образцы уже доступны) обеспечивает выполнение как минимум десяти квадриллионов циклов чтения/записи, а доступ к каждому участку памяти может осуществляться со скоростью 1 млн раз в секунду в течение трехсот лет. Рабочее напряжение чипов FM18L08 составляет 2,7–3,6 В, а активный ток – 15 мА при времени доступа 70 нс.

    FRAM (Ferroelectric RAM) выполняет те же функции, что и память RAM, однако, в отличие от последней, способна хранить данные при отключенном питании. Энергонезависимость достигается путем изменения положения центрального атома в ферроэлектрическом кристалле ячейки памяти. Под воздействием электромагнитного поля атом отклоняется, и его различные положения соответствуют "0" или "1". Положение атома сохраняется даже после того, как электромагнитное поле прекратило свое действие.

    В настоящее время чипы памяти FM18L08 могут послужить заменой модулям SRAM и EEPROM, применяющимся при выпуске лазерных принтеров, телефонов, копировальных аппаратов и контрольно-измерительной аппаратуры. В перспективе FRAM, имеющая стандартную скорость доступа к данным, может заменить энергозависимую DRAM, однако сейчас ее ограниченная емкость не позволяет этого сделать. Чипы FM18L08 предназначены для хранения 256 кб данных и будут доступны в массовых поставках с июня 2001 г.