22 февраля 2001 г.

Компании Infineon и Toshiba планируют разрабатывать оперативную память нового типа, основанную на ферроэлектрических материалах, — Ferroelectric RAM (FeRAM).

    Разработанные чипы будут отличаться высокой компактностью, потреблять гораздо меньше электроэнергии, чем элементы DRAM и SRAM, и сохранять информацию даже при отключении питания.

    Первые 32-мегабитные микросхемы должны увидеть свет к концу 2002 г. и будут использованы в мобильных телефонах. Предварительная оценка расходов на разработку, которые компании поделят поровну, составляет $60 млн.