12 января 2001 г.

Компании MoSys, Inc. и VIA Technologies, Inc. объявили о том, что VIA лицензировала разработанную MoSys технологию памяти 1T-SRAM для реализации сверхвысокопроизводительной SRAM в своих перспективных интегральных микросхемах.

    Патентованная технология 1T-SRAM компании MoSys обеспечивает сочетание высокой плотности, низкого энергопотребления, высокой скорости и низкой стоимости. Использование в технологии 1T-SRAM однотранзисторного битового элемента существенно повышает плотность компоновки по сравнению с традиционной четырех- или шеститранзисторной SRAM, в то время как архитектура 1T-SRAM позволяет использовать традиционные производственные процессы без каких-либо модификаций.

    Технология 1T-SRAM также имеет привычный интерфейс, не требующий регенерации, и высокую производительность при работе с циклами произвольного доступа, присущую традиционной SRAM. Помимо этого, данная технология может снизить энергопотребление почти в четыре раза по сравнению с традиционной SRAM, что позволяет выбрать ее для реализации больших объемов встроенной памяти в устройствах типа System on Chip (SoC).

    Технология 1T-SRAM широко используется при производстве дискретной памяти MoSys, а также в SoC-продукции компаний, лицензировавших ее у MoSys.
Источник: РБК