7 декабря 2000 г.

Представители компаний IBM и Infineon заявили о начале совместных работ по созданию принципиально новой микросхемы памяти, которая гипотетически может прийти на смену ОЗУ, использующимся в настоящее время.

    В основе элементов памяти Magnetic Random Access Memory (MRAM), созданием которых намерены заняться IBM и Infineon, лежит использование магнитного заряда, аналогично тому, как он используется для записи данных на жесткие диски. В сравнении с традиционной памятью, в работе которого используется электрический заряд, у MRAM есть несколько потенциальных преимуществ. Во-первых, она может оказаться дешевле в производстве, чем DRAM, и быстрее, чем любое из существующих статических ЗУ. И, во-вторых, при отключении элемента памяти MRAM от источника питания, хранящаяся в нем информация не исчезает. В результате, микросхемы памяти нового типа можно будет использовать практически в любом электронном устройстве, что позволит преодолеть ограничения, накладываемые существующей технологией.

    Главной задачей партнеров является уменьшение микросхем памяти MRAM до таких размеров, когда их производство станет экономически целесообразным. Компания IBM, которая взяла на себя проведение большей части исследовательских работ, уже создала первые образцы элементов памяти нового типа, чтобы доказать, что они работоспособны. В то время как Hewlett-Packard и Motorola пока только обсуждают потенциальные возможности MRAM, IBM пытается завладеть инициативой в создании новой технологии. По заявлению представителей компании, в этом ей поможет опыт разработки жестких дисков. При производстве памяти MRAM планируется использовать магнитный состав, имеющий примерно те же свойства, что и материал, применяющийся в производстве жестких дисков. Новая технология предполагает, что этот состав будет внедряться в кремниевые пластины, которые используются для изготовления традиционных чипов.

    Если исследования IBM и Infineon окажутся успешными, то эти компании смогут занять большую часть рынка памяти. Согласно прогнозам аналитиков Dataquest, по результатам 2000 г. продажи стандартных чипов DRAM достигнут отметки в $30 млрд., а темпы их производства в следующем году возрастут на 40%. Представители IBM и Infineon считают, что до конца 2002 г. станет известно, есть ли перспектива у новой технологии. Если результаты исследований окажутся положительными, то первые образцы элементов памяти MRAM появятся в продаже к 2004 г.