17 мая 2000 г.

Motorola Labs в сотрудничестве с DigitalDNA Laboratories продемонстрировала революционный чип памяти, который потенциально заменит современные полупроводниковые технологии производства в этой области

    Разработка исследовательского подразделения компании Motorola ≈ трех-вольтовая энергонезависимая магниторезистивная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM), время доступа к адресу в которой составляет менее 15 наносекунд. Способность выдерживать несколько миллиардов циклов чтения и записи отображает ее потенциально неограниченный рабочий ресурс.

    Ячейка памяти MRAM организована на одном транзисторе и магнитном туннельном переходе (magnetic tunnel junction, MTJ), который расположен на транзисторе. За счет такой структуры достигается малый размер ячейки и низкая общая стоимость чипов.

    Практически неограниченное количество циклов чтения-записи, высокая скорость их выполнения и конкурентная цена позволят MRAM заменить Flash, DRAM и даже более быструю память SRAM.