
		Новости / Февраль 2007

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив новостей

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

2006 г

2007 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
февраль

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Новости

27 февраля 2007 г

Intel вложит как минимум $1 млрд в 45 нм

Intel объявила о намерении инвестировать от $1 до $1,5 млрд в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо.

После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии следующего поколения. В соответствии с существующим графиком перехода на техпроцесс 45 нм, Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по этой технологии. Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей в Нью-Мексико намечен на вторую половину следующего года.

Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, штат Аризона, обойдется в $3 млрд, ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено $3,5 млрд, открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.

Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Кроме того, эта фабрика также стала первым полностью автоматизированным крупносерийным производством Intel по выпуску 300-миллиметровых кремниевых подложек.

версия для печати