19 апреля 2006 г

Samsung готовится к выпуску памяти DDR3

Уже во второй половине этого года южнокорейская Samsung может приступить к производству памяти DDR3.

Об этом стало известно в ходе состоявшегося не так давно IDF Taipei (Intel Developer Forum). Первые продукты DDR3 будут иметь тактовую частоту 800 МГц. В более отдаленной во времени перспективе (точной информации пока нет) на рынке должны появиться также модули, работающие с частотами 1066 и 1333 МГц. Не исключено, что Samsung будет выпускать также память со скоростью работы до 1666 МГц.
Стоит отметить, что модули DDR3 будут «питаться» током с напряжением всего лишь 1,5 В, а не 1,8 В, как это имело место у моделей DDR2 или же 2,5 В у DDR.
Согласно технической информации, представленной в ходе тайваньского IDF, память DDR3 1066 МГц и DDR3 1333 МГц производится по технологическому процессу 70 нм и потребляют энергии соответственно на 40 и 29 % меньше, чем 90-нанометровая модель памяти DDR2 с частотой 800 МГц.