18 января 2006 г

Грядет смена технологии памяти?

Группа ученых из японского Университета Каназава разработали запоминающее устройство, основанное на смене фазового состояния – Phase Change RAM (PRAM).

В отличие от аналогичных разработок японский прототип имеет гораздо более высокую скорость передачи данных. Память PRAM входит в категорию энергонезависимых запоминающих устройств на базе кристаллического носителя.

В качестве носителя используется теллурий сурьмы и теллурий галлия, сходный с тем, что применяется в дисках CD-RW. До сих пор основным недостатком этой технологии была чересчур низкая скорость и небольшой срок хранения записанных данных.

Как сообщает газета Nikkei Business, японцам удалось преодолеть эти препятствия и резко ускорить запись, а также продлить долговечность носителя, который ныне выдерживает 400 тыс. циклов записи.

Ученые из Университета Каназава надеются, что их изобретение в будущем сумеет заменить популярную сейчас флэш-память в переносных устройствах.