
		Новости / Сентябрь 2005

RSS-лента

Новости

Пресс-релизы

Поиск по компаниям


Расширенный поиск
Обзоры сети

Архив новостей

2002 г

2003 г

2004 г

2005 г

янв	фев	мар	апр
май	июн	июл	авг
сен	окт	ноя	дек
сентябрь

2006 г

2007 г

2008 г

2009 г

2010 г

2011 г

2012 г

2013 г

Новости

20 сентября 2005 г

Intel усовершенствовала 65-нанометровую полупроводниковую технологию

Компания Intel разработала версию 65-нанометрового технологического процесса, ориентированного на выпуск чипов для устройств c небольшим энергопотреблением.

Технология, получившая название P1265, нацелена на выпуск микросхем для КПК, сотовых телефонов и других портативных устройств с использованием 65-нанометрового процесса. В P1265 Intel удалось примерно в тысячу раз уменьшить токи утечки (со 100 нА/мкм до 0,01 нА/мкм) по сравнению с нынешней реализацией 65-нанометровой технологии P1264.

Как и дебютировавшая в 2003 году технология P1264, новый процесс является восьмислойным и предполагает использование медных соединений, диэлектрика low-k и напряженного кремния. В ходе разработки технологии Intel снизила уровень порогового напряжения, а также улучшила изоляцию подложки и затвора.

Изменения, однако, сказались на производительности. Так, скорость переключения транзисторов в чипах, созданных по технологии P1265, примерно в два раза меньше, чем у транзисторов, выпущенных по технологии P1264.

Intel уже выпустила прототип 50-мегабитной микросхемы памяти SRAM с использованием новой технологии. Этот чип содержит 350 млн транзисторов, а площадь его ядра составляет 0,68 кв. мкм.

версия для печати