5 августа 2005 г

IBM готовит SiGe-чипы нового поколения

Кремниево-германиевые микросхемы четвертого поколения, анонсированные компанией IBM, работают в два раза быстрее.

Полупроводниковые компоненты IBM – 8HP и 8WL – работают на тактовой частоте 200 ГГц, в то время как максимальная частота SiGe-чипов третьего поколения в два раза меньше.

Новые микросхемы позволят продлить время работы аккумуляторов в мобильных телефонах и повысить их функциональность. Это, в свою очередь, поможет производителям в разработке доступных устройств со встроенными модулем Wi-Fi и системой GPS, заявляет IBM.

Чипы 8HP и 8WL могут быть также использованы в радиолокационных установках ближнего действия, применяемых в автомобилях с целью повышения безопасности. Такие радары обычно устанавливаются на бамперах машин и предупреждают водителей о возможном столкновении или помогают определить наличие помех на дорогах в труднодоступных для обозрения областях.